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薄膜场发射阴极
中文名称: 薄膜场发射阴极
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论文编号: 3102422收藏本论文】【我的收藏】【我要投稿
英文名称: Thin-film Field Emission Cathode
学位类型: 博士毕业论文
作者: 涉及隐私,隐去***  作者本人请参看权力声明>>
导师: 涉及隐私,隐去***
毕业学校: 涉及隐私,隐去***
专业: 电子科学与技术
毕业年份: 涉及隐私,隐去***
关键字: 场发射 薄膜 氧化锌镁 无定形碳 多孔氧化铝
简介目录: 点击此处 免费索取本论文简介和目录>>
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       论文发表:快速、低价、包过!发表论文就找论文天下

论文摘要: 本论文以研制满足大屏幕场发射显示需要的电子源为目标,以简单(略)低成本的制作工艺为前提,分别对纵向和横向薄膜场发射阴极进行了探索性的研究. 对于金属-绝缘体-半导体-金属(MISM)型纵向薄膜场发射阴极,使用具有低电子亲和势的材料Zn_(0.75)Mg_(0(略)为半导体层对器件进行优化,并通过使用金属界面态控制层来引入界面态电子能级,制作的阴极与使用ZnS作半导体层的阴极相比,电子发射率有了显著的提高,达到了0.055%. 论文提出并实现了两种基于不连(略)横向薄膜场发射阴极.对这类场发射阴极来说,核心问题是以简单的工艺和材料实现薄膜的不连续结构并方便地控制其结构参数,即岛的尺度大小和分布,使得均匀性、稳定性、发射能力等指标都达到实际显示器件的要求.第一种阴极采用基于多孔氧化铝和无定形碳的双层传导(略)化铝薄膜的表面具有横向尺寸为300 nm的特殊凹陷结构,是对常规多孔氧(略)腐蚀形成的.在起伏表面上蒸发碳-金-碳复合膜后,凹陷结构四周边缘处导电薄膜的电阻较大,施加电压时,可以在这些边缘处实现有效的电子发射.第二种阴极的提出是为了进一步简化制作工艺,并...
In the present dissertation, (omitted)-type and coplanar-type thin-film field emission cathodes are studied using simple device str(omitted) cost-effective manufacturing process, aiming at stable and uniform electron emission for large-size display.(omitted)he stack-type field emision cathode with a structure of Metal-Insulator-Semicond(omitted)l (MISM), Zn_(0.75)Mg_(0.25)O thin film with a(omitted)ctron affinity than that of ZnS is adopted as the semiconductor layer to facilitate the electron em...
目录:
摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 引言第9-37页
  ·平板显示产业发展现状第9-13页
  ·场发射显示的原理和场致发射理论第13-15页
    ·场发射显示原理第13页
    ·场致发射的基本原理第13-15页
  ·场发射显示阴极的研究进展第15-33页
    ·微尖型FED 阴极的研究进展第15-16页
    ·基于碳材料的FED 阴极的研究进展第16-17页
    ·薄膜FED 阴极的研究进展第17-33页
  ·本论文的选题思路和主要研究内容第33-37页
    ·高亮度大屏幕显示对 FED 阴极的基本要求第33-34页
    ·本论文的选题思路和研究内容第34-36页
    ·论文的章节安排第36-37页
第2章 以Zn_(0.75)Mg_(0.25)O 为半导体层的MISM 型纵向薄膜FED 阴极第37-57页
  ·本章引言第37-38页
  ·Zn_(1-x)Mg_xS 粉末和薄膜的制备与分析第38-43页
    ·Zn_(1-x)Mg_xS 粉末的制备第38-39页
    ·Zn_(1-x)Mg_xS 粉末的 X 射线衍射分析结果第39-42页
    ·Zn_(1-x)Mg_xS 薄膜的制备和存在的问题第42-43页
  ·采用Zn_(1-x)Mg_xO 薄膜作半导体层的MISM 型纵向薄膜FED 阴极第43-55页
    ·Zn_(1-x)Mg_xO 的性质和制作方法第43-44页
    ·以Zn_(0.75)Mg_(0.25)O 为半导体层的MISM 型阴极的制作工艺第44-45页
    ·以Zn_(0.75)Mg_(0.25)O 为半导体层的MISM 型阴极的测试结果及存在问题分析第45-49页
    ·金属界面态控制层的引入第49-52页
    ·以Zn_(0.75)Mg_(0.25)O 为半导体层的MISM 型 FED 阴极的结构优化第52-55页
  ·本章小结第55-57页
第3章 基于腐蚀多孔氧化铝表面的碳-金-碳复合膜的横向薄膜FED 阴极第57-75页
  ·本章引言第57-63页
    ·本章研究思路第57-58页
    ·无定形碳薄膜的制作方法和性质第58-61页
    ·多孔氧化铝工艺简介第61-63页
  ·实验部分――采用多孔氧化铝工艺形成不连续薄膜第63-67页
  ·实验结果与分析第67-73页
    ·腐蚀后形成的多孔氧化铝形貌第67-68页
    ·电形成过程第68-70页
    ·碳-金-碳复合传导膜的使用第70-71页
    ·基于腐蚀后多孔氧化铝和碳-金-碳复合传导膜的阴极的电子发射特性第71-73页
  ·本章小结与问题分析第73-75页
第4章 基于干法刻蚀形成的不连续碳膜的横向薄膜FED 阴极研究第75-96页
  ·本章引言第75页
  ·不连续金属铋膜的性质第75-78页
  ·不连续碳膜的制备第78-80页
  ·阴极电子发射的测试结果及分析第80-90页
    ·不连续碳薄膜中岛的纵向和横向尺寸对电子发射特性的影响第80-86页
    ·电形成过程引起的玻璃衬底变形对电子发射特性的影响第86-88页
    ·阳极电压对发射电流的影响第88页
    ·真空度对阴极电子发射特性的影响第88-89页
    ·基于刻蚀形成的不连续膜的横向电子场发射阴极稳定性测试第89-90页
  ·基于不连续碳膜的横向电子发射阴极的电子发射原理第90-94页
  ·本章小结第94-96页
第5章 结论第96-98页
参考文献第98-105页
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