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Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应
中文名称: Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应
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论文编号: 2878593收藏本论文】【我的收藏】【我要投稿
英文名称: Pressure Effects on Excitons in Ⅱ-Ⅵ Group Heterostructures
学位类型: 博士毕业论文
作者: 涉及隐私,隐去***  作者本人请参看权力声明>>
导师: 涉及隐私,隐去***
毕业学校: 涉及隐私,隐去***
专业: 理论物理
毕业年份: 涉及隐私,隐去***
关键字: 半导体 激子 压力 量子阱 Ⅱ类异质结 跃迁能量 压力系数 流体静压力
简介目录: 点击此处 免费索取本论文简介和目录>>
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论文简介:该文研究压力对Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中激子的影响.为解释ZnSe/ZnCdSe量子阱的光致发光强度随静压快速衰减的实验现象,我们从理论上研究了Zn1-xCdxSe/ZnSe单量子阱中压力导致的应变调制效应.主要结果有三:一是计算得到ZnSe材料的Г-X交叉压力P<,c>并发现它满足P<,s>
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